RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2417
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link