RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2417
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link