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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
66
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
66
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2038
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
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