RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
56
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
25
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2481
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link