RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
56
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
46
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2973
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link