RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
21.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
56
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.2
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
24
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
21.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
19.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
4349
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link