RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
56
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
30
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3773
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link