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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
77
Intorno -208% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
25
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3081
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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