RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3081
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link