RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
56
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
39
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2600
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link