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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
56
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
39
读取速度,GB/s
4,387.7
17.5
写入速度,GB/s
1,813.5
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2600
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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