RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
77
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
77
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
1688
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link