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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
56
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
36
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2711
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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