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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
56
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,014.6
1,813.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
56
53
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
4,396.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
2,014.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
5300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
758
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB Confronto tra le RAM
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
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