RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB

总分
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

总分
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    6400 left arrow 5300
    左右 1.21% 更高的带宽
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    53 left arrow 56
    左右 -6% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,014.6 left arrow 1,813.5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时，ns
    56 left arrow 53
  • 读取速度，GB/s
    4,387.7 left arrow 4,396.3
  • 写入速度，GB/s
    1,813.5 left arrow 2,014.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    693 left arrow 758

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB RAM的比较

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
内存RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
内存RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
内存RAM