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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
40
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
40
Velocità di lettura, GB/s
12.8
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2362
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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