RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
40
Autour de 35% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2362
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link