RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3518
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link