RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
62
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
62
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2086
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Jinyu 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link