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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3322
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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