RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3322
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link