RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
25
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2549
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G3S186DM.M16FP 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link