RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2549
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link