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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
8500
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
48
Velocità di lettura, GB/s
12.8
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
8500
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2009
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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