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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
48
读取速度,GB/s
12.8
12.0
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
10600
8500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2009
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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