RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
49
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
43
Velocità di lettura, GB/s
10.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2928
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link