RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
49
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
43
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.7
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2928
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link