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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
49
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
43
读取速度,GB/s
10.9
16.1
写入速度,GB/s
8.7
10.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2928
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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