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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
8.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
51
26
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2634
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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