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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
9.8
14.2
写入速度,GB/s
8.1
10.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2634
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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