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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
8.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
51
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2634
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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