RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
51
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
29
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3111
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link