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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3111
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
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