RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3111
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
UMAX Technology 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link