RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2354
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link