Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.9 left arrow 11.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.7 left arrow 8.1
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 41
    Por volta de -32% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 11.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.7 left arrow 8.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2366 left arrow 2354
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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