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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
51
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
45
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3102
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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