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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
26
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
19
26
Velocità di lettura, GB/s
18.1
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.9
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3040
2143
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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