Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    19 left arrow 26
    Intorno 27% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.1 left arrow 12.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.9 left arrow 9.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    19 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    18.1 left arrow 12.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.9 left arrow 9.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3040 left arrow 2143
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti