Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Pontuação geral
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Pontuação geral
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    19 left arrow 26
    Por volta de 27% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    18.1 left arrow 12.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.9 left arrow 9.0
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    19 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    18.1 left arrow 12.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    11.9 left arrow 9.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3040 left arrow 2143
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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