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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

総合得点
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 26
    周辺 27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 9.0
    テスト平均値
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    19 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    18.1 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.9 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3040 left arrow 2143

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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
メモリRAM
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Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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