Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB против Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    19 left arrow 26
    Около 27% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.1 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.9 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    19 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    18.1 left arrow 12.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.9 left arrow 9.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3040 left arrow 2143
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения