Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Gesamtnote
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Unterschiede

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    19 left arrow 26
    Rund um 27% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.1 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.9 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    19 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.1 left arrow 12.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.9 left arrow 9.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3040 left arrow 2143
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RAM 1
RAM 2

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