RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
79
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
79
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1710
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link