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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
51
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
44
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2191
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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