RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
51
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
44
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2191
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link