RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
44
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
28
Velocità di lettura, GB/s
11.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3535
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link