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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
11.2
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3751
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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