RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
44
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
35
Velocità di lettura, GB/s
11.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3191
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451U7AFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link