RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
77
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
36
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3526
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link