RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
77
En -114% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3526
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link